[发明专利]一种超薄高稳定性磁片制备方法有效
| 申请号： | 202010441877.X | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN111564304B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 周昊平 | 申请（专利权）人： | 上海万兹新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H05K9/00 |
| 代理公司： | 上海海贝律师事务所 31301 | 代理人： | 范海燕 |
| 地址： | 202156 上海市崇*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种超薄高稳定性磁片制备方法，包括如下步骤1)磁性材料进行卷绕分切处理，2)磁性材料进行退火处理，3)将退火后的材料进行单面覆胶处理，得到第一磁性层，4)进行碎化处理，5)碎化处理后进行模切成型处理，得到指定外观尺寸的成品，所述碎化处理的方式为进行二次辊压，得到指定性能磁片，所述磁性材料进行卷绕分切处理之前进行表面预处理，所述步骤3)和4)之间还包括将第一磁性层进行多层贴合处理，得到第二磁性层。本发明，通过先碎后退火的预处理碎化方式能保证每层磁材都能最大化地得到碎化，且碎化颗粒均匀，磁片一致性好，磁片表面光滑平整，外观良率和性能良率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 稳定性 磁片 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海万兹新材料科技有限公司，未经上海万兹新材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010441877.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：细胞大规模瞬时转染方法
- 下一篇：一种复合塑料袋制备工艺
