[发明专利]存储器及其形成方法

摘要

一种存储器及其形成方法，所述形成方法在第一堆叠结构和所述牺牲层上形成扩孔层后，在所述扩孔层上形成第一材料层和第二材料层交替层叠的第二堆叠结构；在所述第二堆叠结构中形成贯穿第二堆叠结构的第二沟道孔，所述第二沟道孔位于所述第一沟道孔上方，所述第二沟道孔底部暴露出所述扩孔层；刻蚀所述第二沟道孔底部暴露的扩孔层，在所述扩孔层中形成扩孔，所述扩孔的尺寸大于第二沟道孔底部的尺寸；形成所述扩孔后，去除所述第一沟道孔中的牺牲层。由于在扩孔层中形成扩孔，且所述扩孔的尺寸大于第二沟道孔底部的尺寸，后续在去除第一沟道孔中的牺牲层，能防止牺牲层的残留。