[发明专利]基于石墨烯量子点阵列的SERS基底及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010442203.1 申请日: 2020-05-22
公开(公告)号: CN111441032B 公开(公告)日: 2021-11-09
发明(设计)人: 隋学森 申请(专利权)人: 珠海海艺新材料科技有限公司
主分类号: C23C16/26 分类号: C23C16/26;C23C16/02;C23C16/56;C23C14/58;C23C14/35;C23C14/18;G01N21/65
代理公司: 安徽盟友知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34213 代理人: 樊广秋
地址: 519031 广东省珠海市横*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种基于石墨烯量子点阵列的SERS基底的制备方法,包括在绝缘衬底表面生长石墨烯量子点阵列和在石墨烯量子点阵列上沉积柔性透明金属导电薄膜两大步骤。在石墨烯量子点阵列的制备中,以中间Ge量子点阵列作为金属催化层,可以确保在绝缘衬底表面化学气相沉积得到石墨烯量子点阵列的同时,还可以在生长完成后进行氧化退火将其去除。在柔性透明金属导电薄膜的制备中,利用石墨烯量子点阵列作为底层,在其表面均匀沉积柔性透明金属导电薄膜,增加了比表面积,可以有效增强被检测分子的信号强度。
搜索关键词: 基于 石墨 量子 阵列 sers 基底 及其 制备 方法
【主权项】:
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