[发明专利]具有横向电场夹断结构的功率半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010442255.9 | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN111564486B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 何慧强 | 申请（专利权）人： | 无锡鸣沙科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/80;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳壹舟知识产权代理事务所(普通合伙) 44331 | 代理人： | 寇闯 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 提供一种具有横向电场夹断结构的功率半导体器件，包括：衬底；第一外延层，位于该衬底上方并掺杂有第一类型杂质；第一掺杂区，位于该第一外延层中并掺杂有第二类型杂质；位于该第二外延层中并掺杂有该第二类型杂质的第二掺杂区和第三掺杂区；其中该第一掺杂区、该第二掺杂区以及该第三掺杂区一同结合形成BODY区，该BODY区的至少一部分掺杂有第一类型杂质以形成源区；栅氧层和栅多晶层，该栅氧层和该栅多晶层位于该第二外延层上方；介质氧化层，位于该栅氧层和该栅多晶层的上方以及侧面；第一导电层，位于该第二外延层上方并用于形成第一电极和/或第二电极；以及第二导电层，位于该衬底下方并用于形成第三电极。还提供了一种上述器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 横向 电场 结构 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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