[发明专利]一种半导体溅射腔保护罩加工方法及半导体溅射腔保护罩有效
| 申请号： | 202010443318.2 | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN111468909B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;杨其垚 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | B23P15/00 | 分类号： | B23P15/00;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体溅射腔保护罩加工方法及半导体溅射腔保护罩，所述的加工方法包括：柱状结构的原料坯体依次经粗加工和精加工后得到保护罩，所述的保护罩为一端封口的中空结构罩体，包括环形薄壁以及位于环形薄壁一侧开口处的端盖；在对原料坯体粗加工形成端盖的过程中，预留端盖在厚度方向的加工余量。本发明改变了传统的加工工艺，在保护罩的端盖预留厚度方向的加工余量，利用加工余量装夹保护罩进行后续精加工，加工完成后切除加工余量，此方法可以减少夹具装夹过程中材料的加工变形，节约加工时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 溅射 护罩 加工 方法 | ||
【主权项】：
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