[发明专利]单光子雪崩二极管（SPAD）微单元阵列及其操作方法在审
| 申请号： | 202010443325.2 | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN111983589A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | M·E·亨内克;B·基里洛夫;T·图尔纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01S7/4863 | 分类号： | G01S7/4863;G01S7/481 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 黄倩 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例总体上涉及单光子雪崩二极管(SPAD)微单元阵列及其操作方法。一种数字光检测器，包括时钟信号发生器，其被配置为生成时钟信号，该时钟信号由以预先确定的频率生成的时钟脉冲组成；单光子雪崩二极管(SPAD)，其被配置为响应于接收到光子而接通并且生成雪崩电流，该SPAD包括内部耦合在阳极端子与阴极端子之间的内部电容器；以及主动抑制‑再充电电路，其由时钟信号触发。该主动抑制‑再充电电路被配置为基于时钟信号而被激活和停用，其中主动抑制‑再充电电路被配置为在激活主动抑制‑再充电电路的条件下，为内部电容器再充电，并且其中主动抑制‑再充电电路被配置为在停用主动抑制‑再充电电路的条件下，使内部电容器放电。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 雪崩 二极管 spad 单元 阵列 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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