[发明专利]石墨烯插层III族氮化物半导体复合薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202010443660.2 | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN111613698B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 徐洪秀 | 申请（专利权）人： | 山西穿越光电科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L31/18;H01L31/0352;H01L33/02;H01L33/06;H01L33/32;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京艾皮专利代理有限公司 11777 | 代理人： | 冯铁惠 |
| 地址： | 044500 山西省运*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种石墨烯插层III族氮化物半导体复合薄膜，通过在现有的III族氮化物半导体复合薄膜中插层石墨烯层，以在衬底表面制得结构为(III族氮化物层A/石墨烯/III族氮化物层B/石墨烯) |
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| 搜索关键词： | 石墨 烯插层 iii 氮化物 半导体 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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