[发明专利]一种多晶硅切割图形添加方法有效
申请号: | 202010446357.8 | 申请日: | 2020-05-25 |
公开(公告)号: | CN111596528B | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 王飞舟;汪悦;张月雨;于世瑞 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种多晶硅切割图形添加方法,将多晶硅切割图形标记为原始切割图形;当多晶硅图形的线端边与其临近多晶硅图形距离小于S1时,以该线端边向外生成添加的切割图形;将添加的切割图形与原始切割图形合并;将彼此距离小于S2的相邻两个合并后的切割图形再合并,生成合并图形;对合并图形伸长;对伸长后的合并图形退边,退边后形成最终的多晶硅切割图形。本发明的方法通过版图逻辑运算自动针对原始版图的潜在热点位置添加多晶硅切割图形,在不增加工艺难度及成本的前提下有效解决由于特征尺寸减小而引起的多晶硅层桥接断路及边缘粗糙等问题,不需要修改原始版图,保证生产过程的按时顺利进行。 | ||
搜索关键词: | 一种 多晶 切割 图形 添加 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司,未经上海华力集成电路制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010446357.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。