[发明专利]采用应力记忆技术的半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 202010446358.2 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN111599683B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 李中华;姜兰 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用应力记忆技术的半导体器件的制造方法，包括对应力记忆技术热预算进行自动控制的步骤，自动控制步骤包括：步骤一、测量晶圆上的半导体器件的栅极结构的关键尺寸的片内分布；步骤二、根据栅极结构的关键尺寸的片内分布设置应力记忆技术的热处理工艺的温度分布，栅极结构的关键尺寸越大的区域对应的热处理工艺的温度越高以及栅极结构的关键尺寸越小的区域对应的热处理工艺的温度越低，利用热处理工艺的温度对半导体器件的漏电流的影响补偿栅极结构的关键尺寸对半导体器件的漏电流的影响；步骤三、按照设置的温度分布进行热处理工艺。本发明能对应力记忆技术热预算进行自动控制，能实现对晶圆产品进行及时动态调整，能提高产品的片内、片间以及批次间的性能的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 应力 记忆 技术 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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