[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010447490.5 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113257914A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 李连杰;卢彦彬;韩峰;张帅 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 朱亦林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括衬底、栅极结构、漂移区域、源极区域、漏极区域和掺杂区域。栅极结构位于衬底上方。漂移区域在衬底中并位于栅极结构下方。源极区域和漏极区域位于栅极结构的相反侧。漏极区域在漂移区域中，源极区域在漂移区域外。掺杂区域在漂移区域中，并位于漏极区域与栅极结构之间。掺杂区域与漏极区域的底表面间隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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