[发明专利]集成电路元件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010448203.2 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN112310281A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 谢得贤;陈姿妤;涂国基;曾元泰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路元件及其制造方法，一电阻式随机处理记忆体单元堆叠形成于一介电层中的一开口上，介电层足够厚且开口足够深，以使得电阻式随机处理记忆体单元可用平坦化制程所形成。所得到的电阻式随机处理记忆体单元可具有U形轮廓。电阻式随机处理记忆体单元的面积包括来自平行于基材的电阻式随机处理记忆体单元的层的底部的贡献及大致上垂直于基材的电阻式随机处理记忆体单元的层的侧部的贡献。弯曲的电阻式随机处理记忆体单元的侧部及底部的组合提供相较于平坦的单元堆叠的提升的面积，提升的面积降低了电阻式随机处理记忆体单元的形成电压及设定电压。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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