[发明专利]一种DD中子发生器屏蔽装置有效
| 申请号： | 202010454694.1 | 申请日： | 2020-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN111667930B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 张凯;陈红涛;赵芳;阮锡超;刘世龙;侯龙;龚新宝;刘邢宇;张坤 | 申请（专利权）人： | 中国原子能科学研究院 |
| 主分类号： | G21C11/02 | 分类号： | G21C11/02;H05H3/06 |
| 代理公司： | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人： | 任晓航;胡明军 |
| 地址： | 102413 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于中子发生器屏蔽技术领域，具体涉及一种DD中子发生器屏蔽装置，包括由第一屏蔽体(1)和第二屏蔽体(2)合拢组成的密封的立方体型的屏蔽体，第一屏蔽体(1)内部设置第一空腔(3)，第二屏蔽体(2)内部设置第二空腔(4)，第一屏蔽体(1)和第二屏蔽体(2)合拢时，第一空腔(3)和第二空腔(4)共同构成设置中子发生器的主体部分的设备舱；中子发生器的主体部分用于通过DD反应产生中子。本发明实现了DD中子发生器在普通环境中的使用，无需建造中子屏蔽厅。对于DD中子产额为1E8的中子发生器，在离屏蔽体外表面1米处的总剂量水平小于1μSv/h，工作人员可在此工作5000小时/年。中子发生器与屏蔽体可以良好结合，维护维修便捷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dd 中子 发生器 屏蔽 装置 | ||
【主权项】：
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