[发明专利]一种D+

摘要

本发明属于中子发生器技术领域，具体涉及一种D+离子源。设置在中子发生器的真空管上，包括尾端设有引出结构(15)、顶端与氘气钢瓶(6)相连的放电管(3)，放电管(3)的尾端设有圆盘形的离子源底盘(18)，引出结构(15)位于离子源底盘(18)中心；还包括套装在放电管(3)的外表面的电容耦合环(8)和设置在放电管(3)的顶端的阳极探针(4)。本发明采用射频电源馈入高频功率，只需一台射频电源，无需振荡器；解决了离子源向外发送干扰信号的不利问题；对引出结构进行强制制冷，提高了离子源的使用寿命。