[发明专利]一种增强型薄膜磁性可调结构有效
| 申请号： | 202010455855.9 | 申请日： | 2020-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN111613718B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 李裴森;潘孟春;潘龙;胡佳飞;彭俊平;孙琨;邱伟成;张琦;车玉路;张欣苗 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | H10N50/85 | 分类号： | H10N50/85;H10N30/85 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 张丽娟 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强型薄膜磁性可调结构，自下而上依次设置的底电极、压电层、磁性膜层，进行磁场调控时，对压电层加载电压，压电层会产生应力应变，该应力应变传递至磁性膜层，实现磁性电调控。所述磁性膜层包括多个交替层叠设置的磁性薄膜层和非磁性薄膜层，所述非磁性薄膜层用于阻断相邻磁性薄膜层之间的磁交换作用，使得单层磁性厚膜成为多层磁性薄膜，增强了磁性电调控能力，本发明增强磁性电调控的能力且磁性信号收集效果俱佳。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 薄膜 磁性 可调 结构 | ||
【主权项】：
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