[发明专利]一种电场和/或磁场调控合成二维材料的装置和方法在审
| 申请号： | 202010455859.7 | 申请日： | 2020-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN111910171A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 蔡端俊;刘国振;郭斌;陈小红 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/02;C23C16/44;C23C16/52 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电场和/或磁场合成二维材料的装置和方法，于二维材料合成的反应腔内设置磁场产生装置和/或电场产生装置以及高温高真空保护装置，使气态分子、固体粒子或等离子体在磁场和/或电场调控下沉积于衬底上形成二维材料，调控方式包括加速前驱物分解、定向移动气态分子、固体粒子或等离子体和调控二维材料在衬底上的成核位点和晶粒取向，提高二维材料合成所需衬底的选择性，提高二维材料合成速率，可低温、快速合成高质量二维材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电场 磁场 调控 合成 二维 材料 装置 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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