[发明专利]一种英寸级单晶薄膜的制备方法及单晶薄膜在审
| 申请号： | 202010456025.8 | 申请日： | 2020-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN111621845A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 潘孟春;彭俊平;胡悦国;李裴森;胡佳飞;邱伟成;张琦 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/02;C30B29/64;C30B33/02 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 谭武艺 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种英寸级单晶薄膜的制备方法及单晶薄膜，本发明制备方法的实施步骤包括：将单晶基片进行预处理，预处理包括清洗、高温灼烧；在预处理后的单晶基片的外延面上沉积铁磁金属薄膜；将沉积有铁磁金属薄膜的单晶基片退火处理得到(111)或(0001)取向的单晶薄膜。单晶薄膜为基于前述制备方法制备得到的单晶薄膜。本发明能够实现英寸级单晶薄膜的制备，制备得到的单晶薄膜在英寸级范围内具有原子级平整度、超高洁净度和单一晶化特征，能够为实现大面积石墨烯生长以及高性能石墨烯自旋电子器件研制提供技术基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 英寸 级单晶 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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