[发明专利]一种铁磁薄膜外延单层石墨烯及其制备方法有效
| 申请号： | 202010456103.4 | 申请日： | 2020-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN111606322B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 潘孟春;邱伟成;胡佳飞;李裴森;彭俊平;胡悦国;张琦 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186;C23C14/18;C23C14/58;C23C14/30;C23C14/35;C30B1/02;C30B29/02 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 张丽娟 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了铁磁薄膜外延单层石墨烯的制备方法，通过高温退火使得铁磁薄膜单晶化，结合碳成核、扩散和析出过程调控，诱导石墨烯在单晶铁磁表面的自我终止生长，实现单层石墨烯的外延制备。本发明可解决高溶碳金属材料上生长单层石墨烯的困难，同时保证了制备的铁磁金属/石墨烯界面晶格外延特性，界面结构稳定，可大幅提高相关石墨烯电子器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 外延 单层 石墨 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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