[发明专利]基于贝叶斯优化的多层膜选择性辐射器构建方法及系统有效
| 申请号： | 202010456196.0 | 申请日： | 2020-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN111607767B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 赵长颖;张文斌;王博翔 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/10;C23C14/16;G06N20/00 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于贝叶斯优化的多层膜选择性辐射器构建方法及系统，包括：步骤S1：在单抛硅片上分别进行溅射；步骤S2：采用Denton多靶磁控溅射镀膜系统进行靶磁控溅射，所述Denton多靶磁控溅射镀膜系统能够溅射沉积复合薄膜；步骤S3：计算得到选择性辐射器的每层材料和层厚参数；步骤S4：对待测试的基于贝叶斯优化的多层膜选择性辐射器进行测试，获取基于贝叶斯优化的多层膜选择性辐射器。从而获取基于贝叶斯优化的多层膜选择性辐射器。本发明采用耐高温材料，其溅射得到的非周期性多层膜选择性辐射器可以匹配热光伏系统的高温工作条件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 贝叶斯 优化 多层 选择性 辐射器 构建 方法 系统 | ||
【主权项】：
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