[发明专利]一种多波段氧化镓基紫外光电探测器阵列的制备方法在审
申请号: | 202010456201.8 | 申请日: | 2020-05-26 |
公开(公告)号: | CN111613694A | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 商世广;王睿;陈海峰;赵玲;董军 | 申请(专利权)人: | 西安邮电大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/02;H01L21/67;C23C14/00;C23C14/08;C23C14/54 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 王艾华 |
地址: | 710121 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种多波段氧化镓基紫外光电探测器阵列的制备方法,首先利用磁控溅射在叉指电极上沉积氧化镓薄膜,通过控制溅射功率、气体压强和气体配比等参数或引入半导体杂质,调控氧化镓薄膜的氧空位和杂质缺陷浓度,实现不同波段紫外光响应的氧化镓光电探测器单元的制备。其次,将制备的氧化镓光电探测器单元,置入气氛炉中进行退火处理,实现对氧化镓光电探测器单元紫外截止波长的调整。最后,将不同波段的氧化镓紫外光电探测器单元组装成探测器阵列,各个光电探测器单元在电学上相互独立。本发明制备的氧化镓紫外光电探测器阵列具有光谱选择性强、响应波段范围宽和稳定性高等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 波段 氧化 紫外 光电 探测器 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安邮电大学,未经西安邮电大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010456201.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种增强型薄膜磁性可调结构
- 下一篇:一种提高二极管开关速度的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的