[发明专利]一种多波段氧化镓基紫外光电探测器阵列的制备方法在审

专利信息
申请号: 202010456201.8 申请日: 2020-05-26
公开(公告)号: CN111613694A 公开(公告)日: 2020-09-01
发明(设计)人: 商世广;王睿;陈海峰;赵玲;董军 申请(专利权)人: 西安邮电大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L21/02;H01L21/67;C23C14/00;C23C14/08;C23C14/54
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 王艾华
地址: 710121 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供一种多波段氧化镓基紫外光电探测器阵列的制备方法,首先利用磁控溅射在叉指电极上沉积氧化镓薄膜,通过控制溅射功率、气体压强和气体配比等参数或引入半导体杂质,调控氧化镓薄膜的氧空位和杂质缺陷浓度,实现不同波段紫外光响应的氧化镓光电探测器单元的制备。其次,将制备的氧化镓光电探测器单元,置入气氛炉中进行退火处理,实现对氧化镓光电探测器单元紫外截止波长的调整。最后,将不同波段的氧化镓紫外光电探测器单元组装成探测器阵列,各个光电探测器单元在电学上相互独立。本发明制备的氧化镓紫外光电探测器阵列具有光谱选择性强、响应波段范围宽和稳定性高等优点。
搜索关键词: 一种 波段 氧化 紫外 光电 探测器 阵列 制备 方法
【主权项】:
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