[发明专利]一种功率半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202010457560.5 | 申请日： | 2020-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN111477550B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 高学 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的功率半导体器件的制作方法通过在所述屏蔽栅多晶硅层的侧壁上形成侧墙，所述侧墙位于所述屏蔽栅多晶硅层外侧的沟槽上方，以使得屏蔽栅多晶硅层上可以直接设置连接孔，节省了定义连接孔连接栅极的区域的掩模版，还减少了工序，降低了工艺成本，还避免了后续在屏蔽栅多晶硅层上形成的连接孔与栅极多晶硅层之间接触。该侧墙保护了第二氧化层，避免了后续形成源极时，位于上方的N型离子注入时离子注入到第二氧化层中，以避免了第二氧化层的性能的降低，还避免N型离子注入时N型离子通过第二氧化层的减薄处散射向下传递进入位于P型离子注入的区域，以避免了其对沟道的影响，提高了器件的阈值电压，提高了功率半导体器件电性性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
