[发明专利]氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅镀靶材在审
| 申请号： | 202010458017.7 | 申请日： | 2020-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN112018168A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 西山功兵;越智元隆;寺前裕美;川原田乔生 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/786;C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 日本兵库县神户市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种制造成本相对低、形成了薄膜晶体管时的载流子迁移率及光应力耐性高的氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅镀靶材。本发明为一种氧化物半导体薄膜，其包含金属元素，其中所述金属元素包含In、Zn、Fe及不可避免的杂质，相对于In、Zn及Fe的合计原子数，In的原子数为58atm％以上且80atm％以下，Zn的原子数为19atm％以上且41atm％以下，Fe的原子数为0.6atm％以上且3atm％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜 薄膜晶体管 溅镀靶材 | ||
【主权项】：
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