[发明专利]FDSOI的顶层锗硅层的制作方法在审
| 申请号： | 202010458335.3 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN111584420A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 陈勇跃 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种FDSOI的顶层锗硅层的制作方法，包括步骤：步骤一、提供SOI基片，SOI基片包括底部体硅、绝缘介质埋层和顶部硅；步骤二、在顶部硅表面外延生长第一锗硅外延层，顶层硅和第一锗硅外延层叠加成顶层锗硅层；步骤三、对顶层锗硅层进行锗浓度提升，通过循环进行如下分步骤实现：步骤31、进行热氧化在顶层锗硅层表面形成顶部氧化层并在顶部氧化层和底部的顶层锗硅层的界面处形成锗凝聚；步骤32、进行热退火将界面处凝聚的锗扩散到整个顶层锗硅层；步骤33、去除顶部氧化层。本发明能提升顶层锗硅层的锗浓度，能很好的控制顶层锗硅层的厚度以及能很好的提升顶层锗硅层的工艺质量。 | ||
| 搜索关键词： | fdsoi 顶层 锗硅层 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010458335.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
