[发明专利]复合式声子晶体结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010460509.X 申请日: 2020-05-27
公开(公告)号: CN111667807B 公开(公告)日: 2023-06-02
发明(设计)人: 吴国强;韩金钊 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: G10K11/16 分类号: G10K11/16;G10K11/162;G10K11/168
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 艾小倩
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种复合式声子晶体结构及其制备方法。本发明的复合式声子晶体结构由两种或者多种声子晶体结构组成,利用复合式的结构设计来得到同时具备该复合式声子晶体结构所包含的两种或者多种声子晶体结构所对应的声学禁带。该复合式声子晶体结构具备多种声学禁带,可以同时实现减振、降噪以及隔热等应用。
搜索关键词: 复合 式声子 晶体结构 及其 制备 方法
【主权项】:
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