[发明专利]一种高深宽比纳米光栅的制作方法在审
| 申请号： | 202010460619.6 | 申请日： | 2020-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN111606300A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 张琬皎;龙眈;张颖 | 申请（专利权）人： | 杭州欧光芯科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州市大江东产业*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高深宽比纳米光栅的制作方法。制作原始模具：制作得到带有低深宽比的光栅结构的原始模具；纳米压印，通过纳米压印工艺复制光栅结构制备得到PDMS软模板；在玻璃基片上旋涂纳米压印胶为图形转移层，PDMS软模板覆盖上去，固化后分离脱模；去除压印胶残余层；玻璃基片上镀一层金属，形成金属层；将整个玻璃基片浸泡剥离脱落图形转移层及其上的金属层，形成金属纳米结构掩膜；刻蚀表面，在玻璃基片表面形成高深宽比的纳米光栅结构。本发明能在低深宽比的纳米光栅基片基础上进一步处理获得高深宽比纳米光栅基片，得到高深宽比的纳米级的光栅结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高深 纳米 光栅 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州欧光芯科技有限公司，未经杭州欧光芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010460619.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
