[发明专利]小发散角N型共阴极Micro LED器件及其阵列在审
| 申请号： | 202010460630.2 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113745392A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 孙雷;张婧姣 | 申请（专利权）人： | 廊坊广通电子设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/60 | 分类号： | H01L33/60;H01L33/40;H01L33/58;H01L33/48;H01L25/075;H01L27/15 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 065300 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了小发散角N型共阴极Micro LED器件及其阵列，包括微光学系统、绝缘隔离结构、隔离结构、像素电极、N型半导体、量子阱层、P型半导体。由于LED发光原理因素，Micro LED器件出光发散角过大，而在工业曝光领域和图像投影领域受投影镜头数值孔径限制，需要Micro LED器件及其阵列所发出的光具有较小的发散角。本专利通过在Micro LED器件上集成绝缘隔离结构、隔离结构、微光学系统的方式进一步收敛发散角使之满足工业曝光领域和图像投影领域的应用。其中Micro LED上的N型半导体相互连接，形成共阴极结构，有利于进一步简化工艺流程降低生产成本。凭借高集成度和可控的光场发散角度，最终将Micro LED推向工业曝光领域和图像投影领域的大规模应用阶段。 | ||
| 搜索关键词： | 发散 阴极 micro led 器件 及其 阵列 | ||
【主权项】：
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