[发明专利]电阻式随机存取存储器装置及其形成方法在审
| 申请号： | 202010460935.3 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN112802870A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 陈达 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;汤在彦 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电阻式随机存取存储器装置及其形成方法。电阻式随机存取存储器装置包括位于衬底上的栅极结构，以及源极区和漏极区，其配置于此衬底上的此栅极结构的两侧。此源极区包括半导体块体，且此漏极区包括邻近此半导体块体的多个半导体鳍片，其中这些半导体鳍片彼此被隔离层分隔。电阻式随机存取存储器装置还包括多个电阻式随机存取存储器单元，其中每一个电阻式随机存取存储器单元都与这些半导体鳍片的其中之一电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取存储器 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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