[发明专利]一种具有渐变浓度掺杂层的横向双扩散碳化硅场效应晶体管在审
| 申请号： | 202010462964.3 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN113745309A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 戴茂州;高巍;廖运健;顾航 | 申请（专利权）人： | 成都蓉矽半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙) 11017 | 代理人： | 韩登营 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种具有渐变浓度掺杂层的横向双扩散碳化硅场效应晶体管，其包括：具有第一导电类型的碳化硅衬底；具有与该第一导电类型相反电性的第二导电类型的漂移区，设置于衬底上；具有第二导电类型的漏极设置于漂移区表面上的一侧、第一导电类型第一阱区设置于漂移区表面的另一侧；具有第一导电类型的接触区以及与其相邻且隔开的第二导电类型的源极，设置于第一阱区；多个第一导电类型掺杂区形成于该漂移区表面上，作为第二导电类型的多区域场限环；栅极氧化层设置于第一阱区上并部分重叠位于第一阱区内的源极以及漂移区；场氧化层设置于漂移区表面上；多个接触电极分别与漏极、源极、以及栅极接触。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 渐变 浓度 掺杂 横向 扩散 碳化硅 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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