[发明专利]一种碳化硅单晶生长用坩埚、生长方法和生长装置有效
| 申请号： | 202010463301.3 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN111424320B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 周玉洁;马远;潘尧波 | 申请（专利权）人： | 中电化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 夏苗苗 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅单晶生长用坩埚、生长方法和生长装置，所述碳化硅单晶生长用坩埚包括：第一坩埚主体；第一盖体，设置于所述第一坩埚主体上；第二坩埚主体，设置于所述第一坩埚主体内，并与所述第一盖体形成一容纳腔；第二盖体，位于所述容纳腔内，将所述容纳腔形成相对设置的原料腔和生长腔；原料容纳部，位于原料腔内；所述第二坩埚主体、第二盖体，原料容纳部之间的孔隙率不同。根据本发明提供的碳化硅单晶生长用坩埚是设计和优化温度场的有利工具，能够有效改善优化生长腔室内部的温度场分布，提高碳化硅单晶的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 生长 坩埚 方法 装置 | ||
【主权项】：
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