[发明专利]一种正硅酸盐系正极材料包覆三元材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种正硅酸盐系正极材料包覆三元材料的制备方法。正硅酸盐系正极材料化学组成通式为Li2MSiO4(M＝Fe，Mn，Co，Ni中的至少一种)，其包覆含量占正极材料本身质量分数的0.01～10％，包覆层厚度10‑1000nm。本发明过程为：首先对三元材料表面残余锂含量及成分进行测定，接着根据包覆含量、分子摩尔比加入纳米级锂源、相应金属M源、硅源等，流态化混合、压片、烧结、制粉、过筛即可得到正硅酸盐系正极材料包覆的三元正极材料。本发明为纯干法过程，制备方法简单易行，降低表面残余锂的同时能够提高三元材料的抗过充及热稳定性，提升材料本身的电性能，具有一定的工业化应用前景。