[发明专利]薄膜晶体管和薄膜晶体管制备方法在审
| 申请号： | 202010463760.1 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN111599869A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 胡小波;谭敏力;彭钊;刘健;杨一峰 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/423;H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 杨艇要 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供的薄膜晶体管包括衬底、位于衬底上方的有源层、位于有源层上的栅绝缘层、层叠设置在栅绝缘层上的第一阻挡层、栅极、第二阻挡层，位于第二阻挡层上的第一合金膜层，第一合金膜层的疏水性大于第二阻挡层的疏水性；通过在第二阻挡层上设置第一合金膜层，增强三层金属结构与光阻层的结合力，防止制备过程中光阻层剥落。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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