[发明专利]互连结构的制造方法在审
| 申请号： | 202010463913.2 | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN111599748A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 卢俊玮;王冠博;董宗谕 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48;H01L23/535 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 230012 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种互连结构的制造方法，包括刻蚀衬底上的第二刻蚀停止层及部分厚度的第一介电层形成第一开口，在所述第二刻蚀停止层上形成第二介电层，然后将所述第二刻蚀停止层作为掩模依次刻蚀第二介电层、第一介电层及第一刻蚀停止层形成沟槽和通孔，并在刻蚀第一介电层形成通孔的同时去除第二刻蚀停止层，接着在所述沟槽和通孔填充金属形成金属层。本发明以第二刻蚀停止层作为掩模刻蚀形成沟槽和通孔，然后进行一次金属填充工艺形成金属层，相比于现有技术中沟槽和通孔分步进行金属填充，降低了沟槽和通孔之间金属的接触电阻，同时减少了金属填充后的化学机械研磨工艺，缩短工艺流程，降低成产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥晶合集成电路有限公司，未经合肥晶合集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010463913.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
