[发明专利]一种P-GaN增强型HEMT器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010465882.4 申请日: 2020-05-28
公开(公告)号: CN111564490B 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 吴勇;陆俊;王东;陈兴;汪琼;葛林男;严伟伟;何滇;曾文秀;王俊杰;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成 申请(专利权)人: 西安电子科技大学芜湖研究院
主分类号: H01L29/778 分类号: H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06
代理公司: 芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138 代理人: 房文亮
地址: 241000 安*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种P‑GaN增强型HEMT器件及其制备方法,属于半导体技术领域,包括从下至上依次层叠设置的衬底、ALN成核层、ALGaN缓冲层、GaN沟道层、ALN插入层、ALGaN势垒层、低温饱和P型GaN、P‑GaN、钝化层、源极(110)、漏极、栅极。在P‑GaN层和势垒层之间生长一层低温饱和P型GaN(LTPGaN层),该层的生长阻止了P‑GaN层的mg扩散至沟道层,从而降低器件的导通电阻,提升HEMT器件的工作效率。
搜索关键词: 一种 gan 增强 hemt 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学芜湖研究院,未经西安电子科技大学芜湖研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010465882.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top