[发明专利]晶圆迭加异常补偿方法及晶圆迭加异常信息量测方法有效
申请号: | 202010466685.4 | 申请日: | 2020-05-28 |
公开(公告)号: | CN111580350B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 刘隽瀚;周文湛;胡展源 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/66 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 张彦敏 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及晶圆迭加异常补偿方法,涉及半导体集成电路制造技术,通过设置用于迭加异常量测的曝光单元,其中用于迭加异常量测的曝光单元中的位于晶圆边缘范围内的曝光单元的数量与晶圆面内除晶圆边缘范围之外的曝光单元的数量比为5:1,并设置每个用于迭加异常量测的曝光单元内的量测点,保证每个用于迭加异常量测的曝光单元内的量测点的数量相等,增大晶圆边缘范围内迭加异常的信息量比例,而使得到的晶圆迭加异常信息更能反映晶圆边缘的迭加异常信息,而使晶圆边缘迭加补偿效果较好,进而提高产品良率。 | ||
搜索关键词: | 晶圆迭加 异常 补偿 方法 信息量 | ||
【主权项】:
暂无信息
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