[发明专利]一种三元过渡金属氧化物的二维晶体材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202010467308.2 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN111733445B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 朱景川;周飞;刘勇;来忠红;周易 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C30B7/04 | 分类号： | C30B7/04;C30B29/30;C30B29/64;C30B33/02 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 邓宇 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种三元过渡金属氧化物的二维晶体材料及其制备方法，属于过渡金属氧化物光电子材料技术领域。本发明解决现有氧化物的二维材料制备方法制备三元过渡金属氧化物存在的问题。本发明采用水热辅助法和过饱和析出两步法以纯液相的方法析出二维KNbO |
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| 搜索关键词： | 一种 三元 过渡 金属 氧化物 二维 晶体 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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