[发明专利]三维存储器及三维存储器的制造方法

摘要

本发明提供一种三维存储器及三维存储器的制造方法，在本发明提供的三维存储器中，台阶结构设置在第一存储阵列结构与第二存储阵列结构之间，且第一存储阵列结构与第二存储阵列结构电连接，从而使得驱动控制结构能通过该台阶结构从中间往两边的存储阵列结构进行驱动，实现了双边驱动，对应的驱动电阻降低，有效降低了驱动时间延迟问题；同时，在驱动控制结构中，两个行解码器的位置与台阶结构的位置相对应，且两个行解码器在第二方向上相互错开，避免了两个行解码器的重复占用面积，为驱动控制结构中的其他部分如页面缓冲器和控制逻辑留下了更大的空间。