[发明专利]一种基于种子层结构的高性能氮化铝钪的制备方法及其产品在审
| 申请号： | 202010469592.7 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN111599915A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 尚正国;陈宇昕 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H01L41/39 | 分类号： | H01L41/39;H01L41/18;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400044 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于种子层结构的高性能氮化铝钪的制备方法及其产品，属于微光机电系统技术领域。本发明采用物理气相沉积或化学气相沉积或脉冲激光沉积或分子束外延法依次在衬底层上生长种子层、氮化铝钪压电层，通过在引入的种子层上生长氮化铝钪压电层，能达到减小层间晶格失配、提高氮化铝钪晶体生长质量以及减小薄膜应力的目的；同时采用物理气相沉积、化学气相沉积、脉冲激光沉积或分子束外延的方法生长氮化铝钪压电层，通过调节生长工艺，能够进一步获得晶体生长质量优良、应力较低、具有高压电系数的高性能氮化铝钪。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 种子 结构 性能 氮化 制备 方法 及其 产品 | ||
【主权项】：
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