[发明专利]一种耐高温碳化硅压力传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010469840.8 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN111707404B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 赵玉龙;王鲁康;赵友;龚涛波 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/84 | 分类号： | H01L29/84;G01L9/06;B81C1/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 姚咏华 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种耐高温碳化硅压力传感器及其制备方法，该传感器利用4H‑SiC体型引线部分代替金属电路的新型结构，在N型高掺杂外延层刻蚀出4H‑SiC体型引线，4H‑SiC体型引线和金属焊盘之间通过欧姆接触区实现电连接，取代了金属焊盘和4H‑SiC压敏电阻条之间的全金属电路连接，有效提高了传感器电路连接的高温稳定性，并为进一步的直接键合提供了均质的4H‑SiC接触面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐高温 碳化硅 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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