[发明专利]存储器及其形成方法在审
| 申请号： | 202010469881.7 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN111584488A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 张钦福;林昭维;朱家仪;朴成;童宇诚 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种存储器及其形成方法。利用相邻的位线界定出沿着第一方向延伸的凹槽，并使凹槽的底部还整体内陷至衬底中以形成下沟槽，以及在凹槽中依次排布多个接触插塞，并在相邻的接触插塞之间设置隔离柱以分隔相邻的接触插塞。由于下沟槽整体内陷至衬底中，因此可以直接以位线为掩膜刻蚀衬底形成，其形成方法简单，以及可以优先形成接触插塞再利用隔离柱分隔相邻的接触插塞，其工艺步骤较少，有利于提高器件的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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