[发明专利]一种Si基垂直LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202010470055.4 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN111599907A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市天和第三代半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/44;H01L21/304;H01L21/306;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 杨艳 |
| 地址： | 517000 广东省河源市高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Si基垂直LED芯片及其制备方法，从下往上依次包括第一衬底层、n‑GaN层、多量子阱层、p‑GaN层、反射层、电流阻挡层、键合层、键合金属层和第二衬底层；其中，键合金属层为厚度比为0.15～0.2：1的Ni和Sn。能有效解决传统LED芯片研磨减薄后芯片严重翘曲，以至于造成芯片易破片良率低、效率低的问题，减轻LED芯片翘曲的程度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si 垂直 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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