[发明专利]半导体装置和光电探测系统

摘要

本申请公开了一种半导体装置和光电探测系统，该半导体装置可以包括：外延层，其包括呈第一导电类型的第一部分和第二部分，并且在第一部分中的远离第二部分的一侧形成有呈与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第一掺杂区、第二掺杂区、以及呈第一导电类型的第三掺杂区，其中，第二掺杂区位于第一掺杂区与第三掺杂区之间，并且第二部分、第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区的掺杂浓度均大于第一部分的掺杂浓度，并且通过第一掺杂区形成该半导体装置的输出端；钝化层，其位于第一部分的一侧上方，并且其内部形成有与第一掺杂区对应的反射区。通过利用本申请提供的技术方案，可以提高对波长较长的光子的探测效率。