[发明专利]硅光电倍增器、光电探测装置及成像系统在审
申请号: | 202010470367.5 | 申请日: | 2020-05-28 |
公开(公告)号: | CN111540789A | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 张玺;徐青;王麟 | 申请(专利权)人: | 湖北京邦科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 436044 湖北省鄂州*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本申请公开了一种硅光电倍增器、光电探测装置及成像系统,该硅光电倍增器包括:雪崩光电二极管阵列,其包括第一雪崩光电二极管和第二雪崩光电二极管,并且第二雪崩光电二极管设置在第一雪崩光电二极管的外围,以将第一雪崩光电二极管与第一电极间隔开;淬灭单元,其用于在雪崩光电二极管阵列发生雪崩击穿效应时对雪崩光电二极管阵列进行淬灭,其中,第一雪崩光电二极管的两端分别与第一电极和第二电极连接;第二雪崩光电二极管的两端分别与第一电极和第三电极连接,并且当第二雪崩光电二极管处于工作状态时,在其内形成的耗尽区在深度方向上至少覆盖外延层的一部分。通过利用本申请提供的技术方案,可以实现提高对波长较长的光子的探测效率。 | ||
搜索关键词: | 光电 倍增器 探测 装置 成像 系统 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的