[发明专利]一种位置灵敏的晶体阵列探头制作工艺有效
| 申请号： | 202010470530.8 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN111638543B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 陈若富;石国柱;沈爱花;陈金达;张秀玲;胡荣江;徐瑚珊;胡正国;杜成名 | 申请（专利权）人： | 中国科学院近代物理研究所 |
| 主分类号： | G01T1/202 | 分类号： | G01T1/202;G01T1/208 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 刘妮 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： |
本发明提供一种位置灵敏的晶体阵列探头制作工艺，属于核物理实验、医学成像、安全检查领域。本发明的CsI(Tl)晶体阵列耦合多阳极位置灵敏光电倍增管H8500C，并且结合高效、快速、经济的DCP桥电路设计的四路读出电路板，组成位置灵敏的探测器探头。经过测试证明，晶体像素尺寸为1.0×1.0×5.0mm |
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| 搜索关键词： | 一种 位置 灵敏 晶体 阵列 探头 制作 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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