[发明专利]一种碳包覆硒化锡负极材料的制备方法及其应用在审
| 申请号： | 202010471022.1 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN111573633A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 高云智;徐进;李兵 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;C01B32/05;H01M4/36;H01M4/58;H01M4/62;H01M10/054 |
| 代理公司： | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人： | 高媛 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种碳包覆硒化锡负极材料的制备方法及其应用，属于钠离子电池技术领域。通过对煅烧合成的SnSe半导体材料采用高能球磨+退火处理的方法，在其表面包覆一层致密且均匀的碳层，从而大幅度提高可逆比容量与循环性能等电化学性能。通过高能球磨法，在降低SnSe材料颗粒粒径的同时，在材料表面引入均匀碳源，经过退火处理即可得到产物。该发明所述制备方法易于操作，流程简单，且成本低，因此具有广泛的应用前景。所制得的复合材料具有良好的电化学性能，包括较高的可逆比容量和良好的循环性能等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳包覆硒化锡 负极 材料 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学，未经哈尔滨工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010471022.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
