[发明专利]一种GaN基P沟道MOSFET及其制备方法有效
| 申请号： | 202010471662.2 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111599865B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 闫大为;顾晓峰;赵琳娜 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/20;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 林娟 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基P沟道MOSFET及其制备方法，属于电子材料技术领域。本发明利用氟正离子注入氮化镓(GaN)后形成的二维空穴气(2DHG)能够在GaN表面层以下形成导电沟道的原理，将氟离子注入GaN制备出了一种GaN基P沟道MOSFET。本发明制备出的GaN基P沟道MOSFET与传统P沟道MOSFET相比，性能优越；同时，本发明采用的制备方法与传统P沟道MOSFET需要在N型衬底上利用扩散或离子注入掺杂出P型的源漏区并通过施加在栅电极的电压使栅氧化层下的半导体反型出P沟道的制备方法相比，制备工艺简单、易操作且重复性好，有效避免了P型掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 沟道 mosfet 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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