[发明专利]一种沟槽型SiC器件在审
| 申请号： | 202010472712.9 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111627983A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 倪炜江;徐妙玲;李明山;李百泉;李天运;孙安信 | 申请（专利权）人： | 东莞南方半导体科技有限公司;北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 523808 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种沟槽型SiC器件。该沟槽型SiC器件，在沟槽内的侧壁处设置栅电极；在沟槽内的中心处设置源电极；在沟槽的底部设置有p+区；所述沟槽内侧壁处的栅电极与所述沟槽内中心处的源电极之间通过介质隔离；所述沟槽内中心处的源电极与台面上的源电极进行电连接；所述沟槽底部的p+区与所述沟槽内中心处的源电极进行电连接。在沟槽底部设置p+区，p+区和源电极进行电连接。沟槽底部的p+区可以有效屏蔽栅介质处的电场，不仅可以增加栅介质的可靠性，也能减少栅漏电容。p+区与源电极电连接，可以很好的提供雪崩电流回路，提高器件的雪崩能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 sic 器件 | ||
【主权项】：
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