[发明专利]QD显示结构和显示装置有效
申请号: | 202010474681.0 | 申请日: | 2020-05-29 |
公开(公告)号: | CN111509027B | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | 王琳琳;尤娟娟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 刘进 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种QD显示结构和显示装置,包括相对设置的第一基板和第二基板,第一基板靠近第二基板的一侧设有彩膜层,彩膜层靠近第二基板的一侧形成有量子点层;第二基板靠近第一基板的一侧设有蓝色EL层,蓝色EL层上设有阴极层,阴极层上还设有TFE膜层,TFE膜层上设有多个微结构,每个微结构上生长有复合材料;复合材料为负介电常数性能。根据本申请实施例提供的技术方案,通过提供负介电常数的材料,可以是负介电常数的阴极层或者设置一个微结构,其上生长负介电常数性能的材料,该材料具有小角度光穿过,大角度光反射的特性,对被QD层散射的下半球的红绿光进行二次出射,同时,被散射的蓝光进行二次吸收,提高QD转换效率。 | ||
搜索关键词: | qd 显示 结构 显示装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的