[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010475223.9 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN112038392A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 陈则;增冈史仁;原口友树 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 目的在于提供能够降低半导体装置的泄漏电流的技术。半导体装置具有：第4杂质层，其在末端部中的最外周的第2杂质层与第1杂质层之间，以与最外周的第2杂质层连接，但与第1杂质层分离的状态配置，第4杂质层具有第2导电型，杂质浓度比第2杂质层低；绝缘膜，其配置于末端部的至少一部分之上，在第1杂质层之上具有第1开口部；以及电极，其配置于绝缘膜之上，经由第1开口部而与第1杂质层连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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