[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010476455.6 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN112017966A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 林俊安;曾国弼;苏子杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/08;H01L29/78;H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本文公开的源极/漏极形成技术提供了具有减小的沟道电阻和减小的漏致势垒降低的FinFET。用于在鳍的源极/漏极区域中形成源极/漏极凹槽的示例性三步蚀刻方法包括第一各向异性蚀刻、各向同性蚀刻和第二各向异性蚀刻。调整第一各向异性蚀刻和各向同性蚀刻以限定源极/漏极尖端的位置。源极/漏极凹槽在第一各向异性蚀刻和各向同性蚀刻之后的深度小于目标深度。调整第二各向异性蚀刻以将源极/漏极凹槽的深度延伸至目标深度。源极/漏极尖端靠近鳍的顶部，以减小沟道电阻，而源极/漏极凹槽的底部与栅极基脚间隔开一定距离，从而可以最小化DIBL。用外延半导体材料填充源极/漏极凹槽。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
