[发明专利]一种多晶硅多晶粒薄膜的制备工艺

摘要

本发明提供一种多晶硅多晶粒薄膜的制备工艺，包括以下步骤：(1)在单晶硅衬底上制备SiO2隔离层；(2)采用光刻掩膜法对SiO2隔离层进行腐蚀，暴露出单晶硅衬底，其中暴露出的单晶硅衬底为成核区域，得到不均匀成核衬底；(3)采用常压化学气相沉积法在步骤(2)制得的不均匀成核衬底上外延生长多晶硅薄膜。本发明通过在单晶硅衬底上制备SiO2隔离层；然后采用光刻掩膜法腐蚀SiO2层，暴露出单晶硅，制成不均匀成核衬底，然后用常压化学气相沉积外延生长多晶硅薄膜，制备出大晶粒的多晶硅薄膜；本发明所述制备方法能高速制备出高质量大晶粒多晶硅薄膜，从而提高多晶硅薄膜电池的性能，促进多晶硅薄膜电池的产业化应用。