[发明专利]用于半导体结构的刻蚀方法及3D存储器件的制造方法有效
| 申请号： | 202010476739.5 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111769037B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 张福涛;刘云飞;陈琳;周颖;胡军 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种用于半导体结构的刻蚀方法，包括：在半导体结构的表面形成光刻胶；将所述光刻胶固化；以及对所述半导体结构进行刻蚀，其中，所述半导体结构包括衬底以及形成在所述衬底上的多层堆叠结构。本申请的刻蚀方法中将光刻胶固化为第一阻挡层，降低了刻蚀过程中光刻胶在纵向上的消耗速度，节省了光刻胶的形成次数，以及降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 结构 刻蚀 方法 存储 器件 制造 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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